• IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 Ns 44-TSOP II
IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 Ns 44-TSOP II

IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 Ns 44-TSOP II

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: IS64LV25616AL-12TLA3

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Verpackung Informationen: Karton
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Zahlungsbedingungen: T/T
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Detailinformationen

Speichertypen: Flüchtig Speicherformat: SRAM
SRAM - Asynchron: SRAM - Asynchron Speichergröße: 4Mbit
Gedächtnisorganisation: 256K x 16 Speicheroberfläche: Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite: 12ns Spannung - Versorgung: 3.135V | 3.6V
Markieren:

IS64LV25616AL-12TLA3

,

IS64LV25616AL-12TLA3 Asynchrone Speicher-IC

,

SRAM - Asynchrone Speicher-IC

Produkt-Beschreibung

IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 ns 44-TSOP II

 

Spezifikationen IS64LV25616AL-12TLA3

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Integrierte Schaltungen (IC)
  Gedächtnis
  Gedächtnis
Mfr ISSI, Integrierte Siliziumlösungen Inc.
Reihe -
Paket Tray
Speichertypen Flüchtig
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchron
Speichergröße 4Mbit
Gedächtnisorganisation 256K x 16
Speicheroberfläche Parallel
Schreiben Sie Zykluszeit - Wort, Seite 12 ns
Zugriffszeit 12 ns
Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40 °C bis 125 °C (TA)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Lieferanten-Gerätepaket 44-TSOP II
Basisproduktnummer IS64LV25616

 

EigenschaftenvonIS64LV25616AL-12TLA3


• Hochgeschwindigkeitszugangszeit: 10, 12 ns
• CMOS-Betrieb mit geringer Leistung
• Niedrige Bereitschaftsleistung: Weniger als 5 mA (typisch) CMOS Bereitschaftsleistung
• TTL-kompatible Schnittstellenebenen
• Einzelne 3,3-Volt-Stromversorgung
• Vollständig statischer Betrieb: keine Uhr oder Aktualisierung erforderlich
• Drei staatliche Produkte
• Datenkontrolle für obere und untere Bytes
• Industrielle Temperatur verfügbar
• Temperaturangebote:
-Auswahl A1: von ∼40 °C bis +85 °C
-Auswahl A2: von ∼40 °C bis +105 °C
-Auswahl A3: von ∼40 °C bis +125 °C
• Bleifrei erhältlich

 

 

AnwendungenIS64LV25616AL-12TLA3



Der ISSI IS64LV25616AL ist ein Hochgeschwindigkeits-194,304-Bit statischer RAM organisiert als 262.144 Wörter von 16 Bit.

 

 

Umwelt- und Exportklassifizierungen vonIS64LV25616AL-12TLA3

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0041

 

IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Asynchrone Speicher IC 4Mbit Parallel 12 Ns 44-TSOP II 0

 

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