• FZT851TA Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223-3
FZT851TA Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223-3

FZT851TA Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223-3

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: FZT851TA

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Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
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Detailinformationen

Transistortyp: NPN Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal): 0.25
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal): 60 V Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC: 375mV @ 300mA, 6A
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal): 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce: 100 @ 2A, 1V
Leistung - Max.: 3 W Frequenz - Übergang: 130MHz

Produkt-Beschreibung

FZT851TA Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223-3

 

Spezifikationen FZT851TA

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  Bipolar (BJT)
  Einzelbipolare Transistoren
Mfr Dioden eingebunden
Reihe -
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Transistortyp NPN
Strom - Kollektor (Ic) (maximal) 0.25
Spannung - Aufschlüsselung des Kollektoremitters (max) 60 V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 375mV @ 300mA, 6A
Strom - Sammlergrenze (maximal) 50nA (ICBO)
Gleichstromgewinn (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Leistung - Max. 3 W
Häufigkeit - Übergang 130 MHz
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse Die Kommission wird die folgenden Informationen über die in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 aufgeführten Maßnahmen erfassen:
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223-3
Basisproduktnummer FZT851

 
Merkmale der FZT851TA


• BVCEO > 60V
• IC = 6A hoher Dauerkollektorstrom
• ICM = 20A Spitzenimpulsstrom
• Niedrige Sättigungsspannung VCE (sat) < 100mV @ 1A
• RCE (sat) = 44mΩ für einen niedrigen gleichwertigen Ansprechwiderstand
• hFE bis zu 10A für eine hohe Aufbewahrung
• Ergänzender PNP-Typ: FZT951
• Bleifreies Finish; RoHS-konform (Anmerkungen 1 und 2)
• Halogen- und Antimonfrei.
• Der FZT851Q ist für Anwendungen im Automobilbereich geeignet, die eine spezifische Änderungssteuerung erfordern; dieser Teil ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-fähig und in IATF16949-zertifizierten Anlagen hergestellt.


 
Anwendungen FZT851TA


• Fall: SOT223 Typ DN
• Gehäusematerial: geformter Kunststoff, “grüne” Formenverbindung. UL-Flammbarkeit 94V-0
• Feuchtigkeitsempfindlichkeit: Stufe 1 pro J-STD-020
• Endgeräte: Veredelung - matte Zinnplatten.
• Gewicht: 0,112 Gramm (ungefähr)
 
Umwelt undExportklassifizierungen von 
FZT851TA

 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
REACH-Status REACH betroffen
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 
FZT851TA Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Oberflächenhalter SOT-223-3 0

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