SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
Produktdetails:
Herkunftsort: | ursprünglich |
Markenname: | original |
Zertifizierung: | original |
Modellnummer: | SQJ422EP-T1_GE3 |
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: | 1 |
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Preis: | negotiation |
Verpackung Informationen: | Karton |
Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
Zahlungsbedingungen: | T/T |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
Detailinformationen |
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Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 40 V | Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 74A (Tc) |
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Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 100 nC @ 10 V |
Vgs (maximal): | ± 20V | Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 4660 pF @ 20 V |
Markieren: | SQJ422EP-T1_GE3 Smd-Leistung,SO-8 SMD-Leistung |
Produkt-Beschreibung
SQJ422EP-T1_GE3 N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
SpezifikationenSQJ422EP-T1_GE3
TYPE | Beschreibung |
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Transistoren | |
FETs, MOSFETs | |
Einzelne FET, MOSFET | |
Mfr | Vishay Siliconix |
Reihe | Fahrzeugtechnik, AEC-Q101, TrenchFET® |
Paket | Band und Rolle (TR) |
Schnittband (CT) | |
FET-Typ | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 40 V |
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 74A (Tc) |
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 18A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
Vgs (maximal) | ± 20V |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4660 pF @ 20 V |
FET-Eigenschaft | - |
Leistungsausfall (maximal) | 83 W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Packung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
Basisproduktnummer | SQJ422 |
Merkmale der SQJ422EP-T1_GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg und UIS getestet
• AEC-Q101 Qualifiziert
Umwelt undExportklassifizierungen von SQJ422EP-T1_GE3
ZEITEN | Beschreibung |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
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