• SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8
SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8

SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: SQJ422EP-T1_GE3

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 1
Preis: negotiation
Verpackung Informationen: Karton
Lieferzeit: 1-3 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen: T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100,000
Bestpreis Kontakt

Detailinformationen

Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 40 V Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Vgs (maximal): ± 20V Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: 4660 pF @ 20 V
Markieren:

SQJ422EP-T1_GE3 Smd-Leistung

,

SO-8 SMD-Leistung

Produkt-Beschreibung

SQJ422EP-T1_GE3 N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8


SpezifikationenSQJ422EP-T1_GE3

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  FETs, MOSFETs
  Einzelne FET, MOSFET
Mfr Vishay Siliconix
Reihe Fahrzeugtechnik, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 40 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 74A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Vgs (maximal) ± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4660 pF @ 20 V
FET-Eigenschaft -
Leistungsausfall (maximal) 83 W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket PowerPAK® SO-8
Packung / Gehäuse PowerPAK® SO-8
Basisproduktnummer SQJ422

 

Merkmale der SQJ422EP-T1_GE3


• TrenchFET® Power MOSFET
• 100% Rg und UIS getestet
• AEC-Q101 Qualifiziert

 

 


Umwelt undExportklassifizierungen von SQJ422EP-T1_GE3
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8 0

Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?
Ich bin daran interessiert SQJ422EP-T1_GE3 Smd Power Ic N-Kanal 40 V 74A (Tc) 83W (Tc) PowerPAK® SO-8 Könnten Sie mir weitere Details wie Typ, Größe, Menge, Material usw. senden?
Vielen Dank!
Auf deine Antwort wartend.