 |
TPH8R008NH,L1Q N-Kanal 80 V 34A (Tc) 1,6 W (Ta), 61 W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | TPH8R008NH,L1Q |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
|
Detailinformationen |
|||
| FET-Typ: | N-Kanal | Technologie: | MOSFET (Metalloxid) |
|---|---|---|---|
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 80 V | Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 10 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4 V bei 500 µA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 35 nC @ 10 V |
Produkt-Beschreibung
TPH8R008NH,L1Q N-Kanal 80 V 34A (Tc) 1,6 W (Ta), 61 W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP
SpezifikationenTPH8R008NH,L1Q
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Toshiba Halbleiter und Speicher |
| Reihe | U-MOSVIII-H |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 80 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3000 pF @ 40 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8 SOPs im Voraus (5x5) |
| Packung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
| Basisproduktnummer | TPH8R008 |
Merkmale der TPH8R008NH,L1Q
(1) Kleines, dünnes Paket
(2) Hochgeschwindigkeitsschalter
(3) Kleine Torladung: QSW = 13 nC (typisch)
(4) Niedrigentladungsquelle Einschaltwiderstand: RDS ((ON) = 6,6 mΩ (typisch) (VGS = 10 V)
(5) Niedriger Leckstrom: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 80 V)
(6) Verstärkungsmodus: Vth = 2,0 bis 4,0 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)
Anwendungen TPH8R008NH,L1Q
• Gleichstromwandler
• Wechseln von Spannungsreglern
• Autofahrer
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonTPH8R008NH,L1Q
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Möchten Sie mehr über dieses Produkt erfahren?