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FDV301N N-Kanal 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-23-3
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Original |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | FDV301N |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 3-5 Tage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1000 |
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Detailinformationen |
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| FET-Typ: | N-Kanal | Technologie: | MOSFET (Metalloxid) |
|---|---|---|---|
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 25 V | 25 V: | 220mA (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 2.7V, 4.5V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 400mA, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 1.06V @ 250μA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 0,7 nC @ 4,5 V |
| Vgs (maximal): | ±8V | ||
Produkt-Beschreibung
FDV301N N-Kanal 25 V 220mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenbefestigung SOT-23-3
Spezifikationen FDV301N
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Ein- und zweimal |
| Reihe | - |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 25 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 220mA (Ta) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4,5 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.06V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 00,7 nC @ 4,5 V |
| Vgs (maximal) | ±8V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5 pF @ 10 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 350 mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | SOT-23-3 |
| Packung / Gehäuse | Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen: |
| Basisproduktnummer | FDV301 |
Merkmale derFDV301N
• 25 V, 0,22 A Kontinuität, 0,5 A Spitze
* RDS(an) = 5 @ VGS = 2,7 V
* RDS(an) = 4 @ VGS = 4,5 V
• Anforderung an einen sehr niedrigen Torantrieb, der einen direkten Betrieb in 3 V-Schaltkreisen zulässt.
• Gate-Source Zener für ESD-Ruggedness. > 6 kV Modell des menschlichen Körpers
• Ersetzen Sie mehrere NPN-Digitaltransistoren durch einen DMOS-FET
• Dieses Gerät ist frei von Pb− und Halogeniden
AnwendungenFDV301N
Dieser N-Kanal-Logik-Level-Enhancement-Modus-Feld-Effekt-Transistor wird unter Verwendung von onsemi's proprietärer DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt.
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonFDV301N
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
