• Siehe auch Abschnitt 3.4.1.
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Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: Siehe Abschnitt 3.

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Detailinformationen

Technologie: MOSFET (Metalloxid) Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 8 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8,2A, 4,5 V Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250μA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Vgs (maximal): ± 5V

Produkt-Beschreibung

SIA427DJ-T1-GE3 Integrierter Schaltkreislauf Chip P-Kanal 8 V 12A 3,5 W (Ta), 19 W PAK® SC-70-6

 

SpezifikationenSiehe Abschnitt 3.

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  FETs, MOSFETs
  Einzelne FET, MOSFET
Mfr Vishay Siliconix
Reihe TrenchFET®
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 8 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 8,2A, 4,5 V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V
Vgs (maximal) ± 5V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 4 V
FET-Eigenschaft -
Leistungsausfall (maximal) 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Lieferanten-Gerätepaket Die Daten sind in der Tabelle zu finden.
Packung / Gehäuse Die Daten sind in der Tabelle zu finden.
Basisproduktnummer SIA427

 
 
Merkmale derSiehe Abschnitt 3.

 

• TrenchFET® Power MOSFET
• Neues thermisch verbessertes PowerPAK® SC-70-Paket
- Kleine Fläche
- Niedriger Widerstand
• 100% Rg getestet
 
AnwendungenSiehe Abschnitt 3.


• Lastschalter für 1,2 V-Leitung für tragbare und Handgeräte

 

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonSiehe Abschnitt 3.
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
Siehe auch Abschnitt 3.4.1. 0

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