• Si4925BDY-T1-E3 integrierter Schaltkreis Chip Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Oberflächenhalter
Si4925BDY-T1-E3 integrierter Schaltkreis Chip Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Oberflächenhalter

Si4925BDY-T1-E3 integrierter Schaltkreis Chip Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Oberflächenhalter

Produktdetails:

Herkunftsort: Original
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: SI4925BDY-T1-E3

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Verpackung Informationen: Karton
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Detailinformationen

Technologie: MOSFET (Metalloxid) Ausstattung: P-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft: Tor des logischen Zustandes Abflussspannung zur Quelle (Vdss): 30V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: 50nC @ 10V

Produkt-Beschreibung

Si4925BDY-T1-E3 integrierter Schaltkreis Chip Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Oberflächenhalter

 

SpezifikationenSi4925BDY-T1-E3

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte
  Transistoren
  FETs, MOSFETs
  FET- und MOSFET-Arrays
Mfr Vishay Siliconix
Reihe TrenchFET®
Paket Band und Rolle (TR)
  Schnittband (CT)
Produktstatus Aktiv
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Ausstattung 2 P-Kanäle (Doppelkanal)
FET-Eigenschaft Logik-Level-Gate
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) 30 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3 V @ 250 μA
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Leistung - Max. 1.1W
Betriebstemperatur -55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Packung / Gehäuse 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Basisproduktnummer SI4925

 
 
Merkmale derSi4925BDY-T1-E3


• Halogenfrei nach IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Einhaltung der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
 
AnwendungenSi4925BDY-T1-E3

 


• Lastschalter
- Notebook-PCs
- Desktop-PCs
- Spielstationen

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonSi4925BDY-T1-E3
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
Si4925BDY-T1-E3 integrierter Schaltkreis Chip Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Oberflächenhalter 0

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