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Chip 1.8GHz | 2.2GHz 6-XSON 1.1x0.7 der integrierten Schaltung des HF-Verstärker-BGS8M2
Produktdetails:
| Herkunftsort: | Vorlage |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | HEF4013BTT, 118 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton-Kasten |
| Lieferzeit: | Tage 1-3working |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100.000 |
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Detailinformationen |
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| Frequenz: | 1.8GHz | 2.2GHz | Gewinn: | 14.4dB |
|---|---|---|---|
| Rauschmaß: | 0.85dB | Spannung - Versorgung: | 1.5V | 3.1V |
| Gegenwärtig - Versorgung: | 5.8mA | Test-Frequenz: | 2.2GHz |
| Markieren: | Chip der integrierten Schaltung des HF-Verstärker-BGS8M2,Chip der integrierten Schaltung 2.2GHz |
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Produkt-Beschreibung
BGS8M2 Chip 1.8GHz | 2.2GHz 6-XSON (1.1x0.7) der integrierten Schaltung des HF-Verstärker-
BGS8M2 IC RF AMPERE 1.8GHZ-2.2GHZ 6XSON
Spezifikationen von BGS8M2/BGS8M2X
| ART | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Rf und Radioapparat |
| Rf-Verstärker | |
| Reihe | - |
| Paket | Band u. Spule (TR) |
| Schneiden Sie Band (CT) | |
| Produkt-Status | Aktiv |
| Frequenz | 1.8GHz | 2.2GHz |
| P1dB | - |
| Gewinn | 14.4dB |
| Rauschmaß | 0.85dB |
| Rf-Art | - |
| Spannung - Versorgung | 1.5V | 3.1V |
| Gegenwärtig - Versorgung | 5.8mA |
| Test-Frequenz | 2.2GHz |
| Befestigung der Art | Oberflächenberg |
| Paket/Fall | 6-XFDFN |
| Lieferanten-Gerät-Paket | 6-XSON (1.1x0.7) |
| Niedrige Produkt-Zahl | BGS8M2 |
Eigenschaften von BGS8M2/BGS8M2X
• Arbeitsfrequenz ab 1805 MHZ zu 2200 MHZ
• Rauschmaß = 0,85 DB
• Gewinndb 14,4
• Hoch gab 1 DB-Kompressionspunkt von dBm -3,5 ein
• Überbrückungsschaltereinfügungsdämpfung von DB 2,2
• Hoch im Band IP3i von dBm 3,5
• Versorgungsspannung 1,5 V bis 3,1 V
• Selbst-Abschirmung des Paketkonzeptes
• Integrierte Versorgung, die Kondensator entkoppelt
• Optimierte Leistung an einem Versorgungsstrom von 5,8 MA
• Stromaufnahme des Abschaltungsmodus < 1="">
• Integrierte Temperatur stabilisierte Neigung für einfachen Entwurf
• Erfordern Sie nur einen zusammenpassenden Induktor des Input
• Input und Ertrag DC entkoppelte
• Esd-Schutz auf allen Stiften (HBM > 2 KV)
• Integriertes Zusammenbringen für den Ertrag
• Verfügbar im 6 Stiftnicht bleihaltigen Paket 1,1 Millimeter x 0,7 Millimeter x 0,37 Millimeter; 0,4 Millimeter-Neigung: SOT1232
• 180 Gigahertz Durchfahrtfrequenz - SiGe: C-Technologie
• Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau 1
Anwendungen von BGS8M2/BGS8M2X
• LNA für LTE-Aufnahme in den intelligenten Telefonen
• Eigenschaftstelefone
• Tablet-PC
• Rf-Frontmodule
Klima- u. Export-Klassifikationen von BGS8M2/BGS8M2X
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3 konform |
| Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| REICHWEITE Status | ERREICHEN Sie unberührtes |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.33.0001 |
