• SI7232DN-T1-GE3 2N CH Mosfet-Reihe 20V 25A 23W PPAK 1212-8
SI7232DN-T1-GE3 2N CH Mosfet-Reihe 20V 25A 23W PPAK 1212-8

SI7232DN-T1-GE3 2N CH Mosfet-Reihe 20V 25A 23W PPAK 1212-8

Produktdetails:

Herkunftsort: ursprünglich
Markenname: original
Zertifizierung: original
Modellnummer: SI7232DN-T1-GE3

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Preis: negotiable
Verpackung Informationen: Kartonkasten
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Detailinformationen

Produkt-Status: Aktiv Technologie: MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration: N-Kanal 2 (Doppel) Fet-Eigenschaft: Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss): 20V Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C: 25A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs: 16.4mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation: 1V @ 250µA
Hervorheben:

SI7232DN-T1-GE3

,

Mosfet-Reihe 20V 25A 23W

,

20V 25A 23W PPAK

Produkt-Beschreibung

Gegenwärtiger Widerstände Mosfet 2n-Ch 20v 25a Ppak 1212-8 der Richtungs-SI7232DN-T1-GE3
 
Oberflächenberg PowerPAK® 1212-8 Mosfet-Reihen-20V 25A 23W Doppel

 

Spezifikationen von SI7232DN-T1-GE3

 

ART BESCHREIBUNG
Kategorie Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren
FETs, MOSFETs
FET, MOSFET kleidet
Mfr Vishay Siliconix
Reihe TrenchFET®
Paket Band u. Spule (TR)
Schneiden Sie Band (CT)
Digi-Reel®
Produkt-Status Aktiv
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 20V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 25A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 16.4mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 1V @ 250µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs 32nC @ 8V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds 1220pF @ 10V
Macht- maximales 23W
Betriebstemperatur -55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art Oberflächenberg
Paket/Fall PowerPAK® 1212-8 Doppel
Lieferanten-Gerät-Paket PowerPAK® 1212-8 Doppel
Niedrige Produkt-Zahl SI7232

 

Eigenschaften von SI7232DN-T1-GE3

 

Das Paket PowerPAK 1212-8 (Tabelle 1) ist eine Ableitung von PowerPAK SO-8. Es verwendet die gleiche Verpackungstechnik und maximiert den Würfelbereich. Die Unterseite der Würfelbefestigungsauflage wird herausgestellt, um einen thermischen Weg des direkten, niedrigen Widerstands zum Substrat zur Verfügung zu stellen, welches das Gerät an angebracht wird. Das PowerPAK 1212-8 übersetzt folglich den Nutzen des PowerPAK SO-8 in eine Kleinsendung, mit dem gleichen Niveau der thermischen Leistung. (Beziehen Sie bitte sich auf Anwendungsanmerkung „Montage PowerPAK SO-8 und Thermal Considerations.")
 

Anwendungen von SI7232DN-T1-GE3

 
Oberflächebergpakete Vishay Siliconix erfüllen Lötmittelrückflutzuverlässigkeitsbedingungen. Geräte werden unterworfen, um Rückflut als Vorbereitungstest zu löten und werden dann unter Verwendung des Temperaturzyklus, der Neigungsfeuchtigkeit, HAST oder des Druckkessels Zuverlässigkeit-geprüft. Die Lötmittelrückfluttempera

 

Klima- u. Export-Klassifikationen von SI7232DN-T1-GE3

 

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3 konform
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL) 1 (unbegrenzt)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

SI7232DN-T1-GE3 2N CH Mosfet-Reihe 20V 25A 23W PPAK 1212-8 0

 

 

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