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SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Kanal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
Produktdetails:
| Herkunftsort: | ursprünglich |
| Markenname: | original |
| Zertifizierung: | original |
| Modellnummer: | SQJ858AEP-T1_GE3 |
Zahlung und Versand AGB:
| Min Bestellmenge: | 1 |
|---|---|
| Preis: | negotiation |
| Verpackung Informationen: | Karton |
| Lieferzeit: | 1-3 Arbeitstage |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
| Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 100,000 |
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Detailinformationen |
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| Abflussspannung zur Quelle (Vdss): | 40 V | Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C: | 58A (Tc) |
|---|---|---|---|
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs: | 55 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal): | ± 20V | Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds: | 2450 pF @ 20 V |
| Markieren: | SQJ858AEP-T1_GE3,40 V |
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Produkt-Beschreibung
SQJ858AEP-T1_GE3 N-Kanal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Oberflächenbefestigung PowerPAK® SO-8
SpezifikationenSQJ858AEP-T1_GE3
| TYPE | Beschreibung |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Transistoren | |
| FETs, MOSFETs | |
| Einzelne FET, MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Reihe | Fahrzeugtechnik, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Paket | Band und Rolle (TR) |
| Schnittband (CT) | |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 40 V |
| Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Vgs (maximal) | ± 20V |
| Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2450 pF @ 20 V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Leistungsausfall (maximal) | 48 W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Packung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 |
| Basisproduktnummer | SQJ858 |
Merkmale der SQJ858AEP-T1_GE3
• TrenchFET® Power MOSFET
• AEC-Q101 Qualifiziert
• 100% Rg und UIS getestet
Umwelt undExportklassifizierungen von SQJ858AEP-T1_GE3
| ZEITEN | Beschreibung |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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